文 | 半导体产业纵横av战地之王

最近，比亚迪崇拜发布了超等 e 平台，这是全球首个量产的乘用车"全域 1000V 高压架构"，将电板、电机、电源、空调等全系高压部件齐作念到了 1000V，将新能源汽车带入"油电同速"时期。王传福现场演示时，唐 L 车型电量从 8% 充至 61% 仅用 5 分钟，续航里程从 53 公里跃升至 410 公里的场景。

此外，为相宜全新的 1000V 架构，比亚迪同步推出了 1500V 车规级 SiC 功率芯片，这亦然行业初度量产哄骗的、最高电压品级的车规级碳化硅功率芯片，亦然超等 e 平台的中枢部件。

汽车产业高压平台加快迭代

其实所谓的 400V、800V、1000V 等架构并非精准数值，也不是国度行为，而是行业往常的称谓。

一般来说，额定电压在 230V 至 450V 之间的车辆属于 400V 架构；550V 至 930V 之间为 800V 架构；830V 至 1030V 基本可称作 900V 架构，像蔚来普及的 900V 平台，最高电压达 925V，充电峰值功率 600kW，充电峰值电流 765A，就处于这一区间。1000V 架构频繁指额定电压在 930V 往上，接近或达到 1000V 以至更高的情况。

2019 年上市的保时捷 Taycan 是高电压平台的 "先驱"。出于对充电速率和捏续性能的追求，Taycan 率先量产了 800V 电压平台，但算作"先驱"，保时捷也承担了相应的开发风险和挑战，受限于各零部件开发程度的不同，领先的 Taycan 并莫得拿出一个所有由 800V 用电器组成的电压平台，并在电板的快充速率上进行了一定的和调解腐败。

不吝在车上增多如斯复杂的电压调遣开荒，保时捷 Taycan 最主要的方针等于要质问用户在充电上付出的时候资本。而在其他高压部件以及电板快充智力获取逾越之后，保时捷 Taycan 偏激后续车型还有望在 350kW 充电功率的基础上，进一步发掘出 800V 电压平台的后劲。

如今高电压平台时刻也在粉饰更多难民车型。当代汽车就在其 E-GMP 平台上使用了 800V 电压平台。疾驰的 EVA 平台、通用的第三代纯电动平台、捷豹路虎的电气化平台，也齐纷纷选拔了 800V 算作车辆的运行电压。此外，天然 MEB 平台的车型才上市不久，但行家也迫不足待地提议了 Trinity 名堂，瞻望将于 2026 年哄骗 800V 超充时刻。

国内方面，新势力、自主、合股主流车企均已布局高压平台架构。新势力车企如赛力斯问界、蔚来、小鹏，自主品牌如比亚迪、极氪、埃安、极狐、阿维塔，合股车企如疾驰、良马、奥迪等。跟着越来越多的车企布局 800V 高压平台架构，时刻熟练度不停提高，同期由于范围效应，资本逐步质问，质料也愈加老成，这为 800V 高压平台大范围上车提供了坚实的基础。

不错说，国内厂商在高电压平台方进取的开发责任也并不过时。比亚迪是第二家领有 1000 千瓦充电器的中国汽车制造商。东风旗下的 Voyah 品牌昨年 9 月推出了 VP1000 充电器，但实践速率随意。

从两年前 800V 高压平台还仅仅高端车的专属，到当今新车多数采用，高电压大功率超充的普及天然还比不上低压充电桩，但长久来看，800V、900V 以至 1000V 高压架组成为主流是势必趋势。

高压平台上情景显

以往，受硅基 IGBT 功率元器件耐压智力戒指，电动车高压系统多采用 400V 电压平台。基于该电压平台的充电桩中，充电功率最大的是特斯拉第三代超等充电桩，达到了 250kW，责任电流的峰值接近 600A。若要进一步提高充电功率、质问充电时候，将电压平台从 400V 提高到 800V、1000V 以至更高水平，大势所趋。

800V 电压平台搭配 350kW 超等充电桩av战地之王，充电速率远超常见的 120kW 直流快充桩，逐步向传统燃油车加油的方便体验逼近，这对依赖寰球充电门径的用户而言是极大的便利。而且，在用电功率调换的情况下，提高电压品级能减小高压线束传输电流，缩减线束截面积，质问线束分量、简略安设空间。

字据业内东说念主士分析，在我国超等充电桩国标落地后，充电桩的最大充电功率有望达到 600kW 以上，"充电五分钟、续航 200 公里"也将从一句打趣酿成施行。

比亚迪的 1000V 平台上风则更为杰出：一是补能速率大幅提高，比较 800V 架构汽车充电 5 分钟续航 200 公里傍边，1000V 平台可完了充电 5 分钟续航 400 公里；二是电机功率权贵提高，千伏架构电机在高速区后段功率提高超 100%，零百加快更快，100 - 200 公里超车加快更强；三是电机功率密度大幅提高，1000V 电压平台使电机铜损更小，比亚迪超等 e 平台的电机功率密度达到 16.4kW/kg，远高于部分 800V 电机的 8kW/kg。

高压平台为什么选拔碳化硅？

高电压平台时刻虽看似仅仅提高整车电压，但在时刻开发和哄骗上却是系统工程。

在电驱动系统中，电压升高对绝缘智力、耐压品级和爬电距离条目更高，会影响电气部件想象和资本。其中，电机欺压器的中枢元件 —— 功率半导体器件是主要难点。

面前，欣喜车规级行为的功率半导体器件里，主流的硅基 IGBT 耐压品级在 600 - 750V，适用于 800V 平台的高压 IGBT 居品较少，且存在损耗高、后果低的问题。为适配 1000V 超高压充电，比亚迪自研并量产了电压品级达 1500V 的全新一代车规级碳化硅功率芯片，这是行业初度量产乘用车哄骗的最高电压品级车规级碳化硅功率芯片。

比较于硅材料，碳化硅具备高压、高频、高温的特色，在功率提高、质问损耗方面说明出色。在新能源汽车中，SiC 主要哄骗于能源欺压单位（PCU）和充电单位（OBC）。对前者而言，哄骗碳化硅的 SiC MOSFET 相较现时主流的 Si IGBT 唐突让升压调遣器（boost converter）将能源电板的输出电压升压到更高，同期也能让逆变器（inverter）将直流电转动为交流电的频率变得更高。

更高的输出电压不错适配性能愈加苍劲的驱动电机，灵验减小尺寸、体积和分量，同期碳化硅具有更低的关断损耗，从而减少了发烧量。这么一来，来源不错提高后果并扩大高效转速区间，让新能源车在畴前不擅长的中高速工况下也变得高效，带来更长的续航里程；二来，由于发烧量大幅质问，使 PCU 散热需求质问，从而减弱 PCU 质料与体积，开释更多空间并进一步轻量化，一定程度上延迟续航。因此，SiC 在 PCU 上的哄骗，不错让新能源汽车续航更长，性能更强。而在 OBC 的哄骗上，由于不错承受更高的充电电压，使得充电时候进一步质问。

面前大部分 400V 车型仍是硅基 IGBT 的全国，对采用碳化硅仍提心吊胆，但在 800V-1200V 平台，碳化硅功率半导体显著是绝佳选拔。而且，比亚迪不仅将电板和电驱升级到 1000V，还对充配电系统、电动空调等从头想象，沿途提高到 1000V，这也将增多碳化硅半导体的哄骗量。

仅仅由于面前在产能和资本方面仍无法与 IGBT 相比好意思，碳化硅器件的普及还需要时候，业内对2025 年碳化硅 MOSFET 的浸透率预期多数在 20%傍边，改日几年内 IGBT 仍将是电驱动系统最主流的功率半导体器件。

碳化硅开启扩产波澜

2024 年，比亚迪虽为全球新能源汽车销量冠军，但碳化硅车型销量低于特斯拉、祯祥。这次比亚迪将乘用车碳化硅主驱芯片电压提高至 1500V，首乘车型粉饰汉 LEV、唐 LEV、仰望 U7、腾势 N9，改日该时刻将下放至全系车型，包括初学级居品 ( 如秦 LEV 等 ) ，改日将大幅增多碳化硅的用量需求。

在市集需求推动下，中国碳化硅衬底分娩智力连忙膨大。统计数据揭示了一个权贵的增长趋势：收尾 2024 年 6 月底，中国在这一领域的产能依然达到了约 348 万片（等效 6 英寸），况且瞻望到年底这一数字将增至 400 万片。

天岳先进的上海临港工场收尾 2024 年一季度已唐突完了年 30 万片导电型衬底的智力，况且正在决议临港工场的第二阶段产能提高，其 8 英寸碳化硅总体产能决议约 60 万片。

天科合达碳化硅晶片二期扩产名堂在徐州经开区开工，名堂总投资 8.3 亿元，达产后，可完了年产碳化硅衬底 16 万片。

晶盛机电已量产 6-8 英寸碳化硅衬底且中枢参数野心达到行业一活水平，正在积极鼓励 8 英寸碳化硅衬底的产能快速爬坡，并拓展了外洋客户。

烁科晶体SiC 二期名堂已完竣验收，其中一期工程已于 2024 年 5 月完成验收；二期工场在一期工程基础上扩建，在 2023 年 8 月进行备案，同庚 10 月提交栽种恳求，面前也宣告完成验收，建成后将新增 6-8 英寸碳化硅衬底年产能 20 万片。

中晶芯源其 8 英寸碳化硅名堂崇拜投产，野心总投资 15 亿元，达产年产能为 30 万片。

今后三年，南砂晶圆投资扩产的要点将放在济南朔方基地名堂上，大幅提高 8 英寸碳化硅衬底产能。

重庆三安其 8 英寸碳化硅衬底厂在 8 月底已完了点亮通线，年产能为 8 英寸碳化硅衬底 48 万片，是三安光电为其与意法半导体合股的 8 英寸碳化硅器件厂配套栽种的碳化硅衬底厂。

此外，士兰明镓、广东天域半导体、芯粤能等企业也在大举扩产。

不出丑出，很多厂商的产能爬坡速率稀疏预期。

中国企业领跑碳化硅衬底时刻

除了产能外，中国企业在碳化硅衬底时刻方面也在不停打破。

2024 年 11 月，天岳先进发布了 12 英寸（300mm）N 型碳化硅衬底居品，秀丽着碳化硅产业崇拜迈入超大尺寸碳化硅衬底时期。

2024 年 12 月，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司奏凯研制出 12 英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制奏凯 12 英寸（300mm）N 型碳化硅单晶衬底。

中国企业如今启动逐步领跑碳化硅衬底时刻。敷陈败露，2021 年至 2023 年期间av战地之王，中国参与者知道的 SiC 发明专利数目增多了约 60%，是全球主要国度和地区当中增长更快的，同期亦然专利恳求量最多的。尤其是 2023 年，在全球 SiC 专利恳求当中，稀疏 70% 齐是来自于中国实体。这也侧面体现了中国企业的研发智力。